1 主題內容與通用范圍
本標準給出了電力半導體器件工藝用高純水(以下稱高純水)的級別、技術要求、測試方法和規(guī)則。 本標準適用于去離子處理后的高純水。
2 引用標準 GB11446電子級水及其檢測方法
3術語
3.1 電導率electrical conductivityctricalconduc2ivity
在規(guī)定溫度下,1cm3水溶液兩相對面之間測得的電阻值的倒數(shù)。電導率通常以μS/cm為單位。 水的理論電導率為0.0548μs/cm(25℃時)。
3.2電阻率resistivity 電導率之倒數(shù)。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時)。溫度升高時電阻率下降。
3.3顆粒性物質granular sulbstance
除氣體以外,以非液態(tài)形式分散在水中,并形成非均勻相混合物的物質。
3.4總有機碳(TOC)total organic carbon 水中以各種有機物形式存在的碳的總量。包括易被—般強氧化劑氧化的有機物和需用特殊 化的有機物。
3.5總固體total solid 水樣蒸發(fā)、烘干后殘留的固總量。
3. 6全硅total silicon 水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。全硅和可溶性硅之差即叫為膠體硅。
3.7高純水high-pure water, ultrapure water
電阻率在5MΩ·cm以上,各種形式存在的物質含量有一定規(guī)定限制的很純凈水
3.8原水raw watcr
純化處理之前的水。常用的原水將自來水、井水、河水等。
3.9終端terminal。 高純水生產(chǎn)流程中經(jīng)過各道沖化工藝后,水的出口使用地點?煞謩e稱為制水終端和用水
3.10微量micro-amount 試樣量在1mg左右。
3.11 痕量trace amount 試樣量在1μg左右。
3.12百萬分之一(ppm) part per million
重量比的量,相當于每百萬重量的溶液中含一單位重量的溶質。在水質分析中,一殷也認為相當每升水樣含雜質的毫克數(shù)(mg/L)。
3.13十億分之一(ppb)part per billion 重量比的單位,相當于每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質,在水質分折中,一般認為相當于短升水樣含雜質的微克數(shù)(μg/L)。
4高純水的級別
4.1高純水可分為電子級高純水和普通高純水,分別用符號EH和pH標志。
4. 2電子級高純水
4.2.1在制造工藝中使用電子級高純水的電力半導體器件有如下特點:
a.具有精細圖形結構;b.對器件表面有特殊要求;c.工藝對水質有特定的嚴格要求。
4.2.2電子級高純水分為兩個級別:特級和I級。它們的標志分別是:
特級電子級高純水:EH—T
一級電子級高純水:EH—1
4.3普通高純水
4.3.1普通高純水用于一般電力半導體器件的制造工藝中。
4.3.2普雙高純水分為三個級別:Ⅰ級、Ⅱ級和Ⅲ級。它們的標志分別是:
I級普通高純水:pH—Ⅰ x級普通高純水:PH—Ⅱ m級普通高純水:pH—Ⅲ
4. 4電阻率低于5MΩ·cm的水不能稱為高純水。
5技術要求
5.1電子級高純水
5.1.1電子級高純水應考核四項內容:
a. 水中自由離子濃度(主要影響電阻率);b.水中懸浮微粒的數(shù)量和大小;C. 水中有機物總量;d. 水中細菌微生物狀況。
5. 1. 2電子級高純水的各項技術指標由表1給出。